[VIP第1年] 指数:3
即假定设计目标在维持差情况下的传导损耗小于15W。以FCP11N60MOSFET为例，该电路被限制在，而FGP20N6S2IGBT可以在。它可以传导超过MOSFET70%的功率。虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600VIGBT都是PT(PunchThrough，穿透)型器件。PT器件具有NTC(负温度系数)特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE(sat)、VGE(TH)(栅射阈值电压)及机械封装以有限的成效进行并联，济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修，以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地，MOSFET具有PTC(正温度系数)，可以提供良好的电流分流，济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修。关断损耗问题尚未结束在硬开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得多，原因在于IGBT的拖尾电流，这与清理图1中PNPBJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。图2显示了用于测量IGBTEoff的典型测试电路，它的测试电压，即图2中的VDD，因不同制造商及个别器件的BVCES而异，济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。降低栅极驱动关断阻抗对减小IGBTEoff损耗影响极微。如图1所示。医疗设备使用科室重使用，轻维护。济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修
励磁电流的比较大值Iμm用示波器很容易可以测到，正好等于图2-26-b中励磁电流iμ跟随时间线性增长的比较大增量。测量出励磁电流的比较大值Iμm后，把Iμm值代入(2-76)式，即可求得励磁电流产生的半波平均功率Pμ。磁滞损耗半波平均功率Pc可根据(2-76)式或(2-77)式求得，不过在求Pc时，还须先求反激输出电压在负载电阻R1上的半波平均功率Pr1；而计算反激输出电压在负载电阻R1上的半波平均功率Pr1时，还得先求反激输出电压在负载电阻R1上的全波平均值Pra；而全波平均值Pra就是反激输出电压在负载电阻R1上损耗的功率。计算反激输出电压在负载电阻R1上的功率Pra时，需要测量滤波电容C1两端的电压Uc；不过C1两端的电压是一个直流，相当于反激输出电压的平均值；反激输出电压的幅值也是滤波电容C1两端的直流电压幅值，不过这个幅值不是通过一次反激电压输出就能积分出来的，它需要经过很多次反激电压输出，并经过多次积分后，才能使输出电压后面稳定下来。C1两端的电压的测量比较容易，用普通电压表就可以测量，但比较好用示波器的直流档来测量；因为，普通电压表的内阻比较小，会影响测量精度。电压Uc被测量出来后。济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修极大影响了医疗设备的运行效率，更影响设备的使用寿命。
相比于电源的其他损耗，这些损耗一般较小，但是可以作些分析看看是否有改进的可能。首先是启动电路。启动电路从输入电压获得直流电流，使控制IC和驱动电路有足够的能量启动电源。如果这个启动电路不能在电源启动后切断电流，那么电路会有高达3W的持续的损耗，损耗大小取决于输入电压。第二个主要方面是功率开关驱动电路。如果功率开关用双极型功率晶体管，则基极驱动电流必须大于晶体管集电极e峰值电流除以增益(hFE)。功率晶体管的典型增益在5-15之间，这意味着如果是10A的峰值电流，就要求～2A的基极电流。基射极之间有，如果基极电流不是从非常接近，则会产生很大的损耗。功率MOSFET驱动效率比双极型功率晶体管高。MOSFET栅极有两个与漏源极相连的等效电容，即栅源电容Ciss和漏源电容Crss。MOSFET栅极驱动的损耗来自于开通MOSFET时辅助电压对栅极电容的充电，关断MOSFET时又对地放电。栅极驱动损耗计算由式(5)给出。对这个损耗，除了选择Ciss和Crss值较低的MOSFET，从而有可能略微降低大栅极驱动电压以外，没有太多的办法。与磁性元件有关的损耗对一般设计工程师而言，这部分非常复杂。因为磁性元件术语的特殊性，以下所述的损耗主要由磁心生产厂家以图表的形式表示。
R1//R2)*C使用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=R1*(C1+C2)用同样的方法，可以将下图(a)电路等效成(b)的放电电路形式，得到电路的时间常数：t=RC=((R1//R3//R4)+R2)*C1对于电路时间常数RC的计算，可以归纳为以下几点：1).如果RC电路中的电源是电压源形式，先把电源“短路”而保留其串联内阻；2).把去掉电源后的电路简化成一个等效电阻R和等效电容C串联的RC放电回路，等效电阻R和等效电容C的乘积就是电路的时间常数；3).如果电路使用的是电流源形式，应把电流源开路而保留它的并联内阻，再按简化电路的方法求出时间常数；4).计算时间常数应注意各个参数的单位，当电阻的单位是“欧姆”，电容的单位是“法拉”时，乘得的时间常数单位才是“秒”。对于在高频工作下的RC电路，由于寄生参数的影响，很难根据电路中各元器件的标称值来计算出时间常数RC，这时，我们可以根据电容的充放电特性来通过曲线方法计算，前面已经介绍过了，电容充电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压等于充电电源电压的，放电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压下降到电源电压的。如上图所示，如通过实验的方法绘出电容的充放电曲线。某一技术较好的工程师用十分钟给一台有故障的设备换了一个10元钱的元件而修复该设备，收费1000元。
这种关系如图6所示。一篇名为“如何将功率MOSFET的RDS(on)对漏极电流瞬态值的依赖性包含到高频三相PWM逆变器的传导损耗计算中”的IEEE文章描述了如何确定漏极电流对传导损耗的影响。作为ID之函数，RDS(on)变化对大多数SMPS拓扑的影响很小。例如，在PFC电路中，当FCP11N60MOSFET的峰值电流ID为11A两倍于(规格书中RDS(on)的测试条件)时，RDS(on)的有效值和传导损耗会增加5％。在MOSFET传导极小占空比的高脉冲电流拓扑结构中，应该考虑图6所示的特性。如果FCP11N60MOSFET工作在一个电路中，其漏极电流为占空比(即RMS)，则有效的RDS(on)将比（规格书中的测试电流）时的。公式2CCMPFC电路中的RMS电流式2中，Iacrms是PFC电路RMS输入电流；Vac是PFC电路RMS输入电压；Vout是直流输出电压。在实际应用中，计算IGBT在类似PFC电路中的传导损耗将更加复杂，因为每个开关周期都在不同的IC上进行。IGBT的VCE(sat)不能由一个阻抗表示，比较简单直接的方法是将其表示为阻抗RFCE串联一个固定VFCE电压，VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是，传导损耗便可以计算为平均集电极电流与VFCE的乘积，加上RMS集电极电流的平方，再乘以阻抗RFCE。图5中的示例*考虑了CCMPFC电路的传导损耗。这就导致了医院与厂商之间就设备维修问题的矛盾的激化。济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修
或是电源电路维修时，若多路负载中有一路短路，用分离法可快速找出故障负载。济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修
仪器仪表行业飞速发展一是因为我国的经济高速稳定发展的运行;按照过去的经验，如果GDP的增长在10%以上时，仪表行业的增长率则在26%～30%之间。二是因为我国宏观调控对仪表行业的影响有一个滞后期，仪表往往在工程的后期才交付使用，因此，因宏观调控政策而减少的收入对仪表行业的影响不会太大。我国现有有限责任公司企业数千多家，已经形成门类品种比较齐全，具有一定技术基础和生产规模的产业体系。但同时业内行家也指出，虽然我国测试仪器产业有了一定的发展，但远远不能满足国民经济各行各业日益增长的迫切需求。随着手机移动网络的消费潜力不断隐现，消费者利用手机消费的频率和份额逐年递增。移动互联网所隐藏的商业价值被更多地挖掘出来之后，各种传统行业（包括内窥镜以及维修周边，动力系统及手柄附件维修，摄像系统主机及摄像头维修，手术器械类维修行业）的移动网上平台相继诞生。为迎接服务型百年未有之大变局，行家认为，要重新定义中国在世界经济版图中的地位，要顺应形势实现制造升级。以华立集团在境外开发“中国工业园”的成功案例来阐述，跨国经营要成为企业主动的战略选择，在不确定性中更好地活下去，以全球化视野看问题，很多困惑在全球化过程中会迎刃而解。济南史赛克STRYKERL10光源主机芯片级维修
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